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转换速率控制IGBT开通方法实现原理

发布时间：2021-01-08 14:35:00 点击次数：

驱动芯片1EDS20I12SV中应用了转换速率控制方法，在IGBT开通过程的不同阶段使用不同大小的栅极电流，灵活控制开通速度。这种方法将IGBT整个开通过程分为三个阶段：预升压(preboost)阶段、开通(turn-on)阶段和VCC2嵌位(VCC2 clamping)阶段，如图1所示。t0-t1阶段为预升压阶段，在这个阶段中使用较大的电流为栅极－发射极电容充电，使栅极电压在135ns内从负值上升到略低于IGBT开通的栅极阈值电压，即Vge

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